PC-3000flash，ECC数据校正方法
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在这篇文章中，我们将讨论转储修正的不同方法。我认为在NAND存储器芯片读取期间可能会出现一些误码并不是秘密。位错误的数量取决于以下内容：
NAND存储芯片的类型（SLC，MLC， TLC） ;
触点清洁度（脏芯片通常更糟）;
温度影响（芯片拆焊过程中的高温可能会损坏电池）;
NAND单元的磨损程度（如果客户在NAND设备上重写信息数百次，小单元电容器的质量变得非常糟糕，并且它们会读取大量错误）;
当然，如果您希望从用户闪存驱动器获得100％的恢复，首先您需要尽可能多地修复ECC错误。 否则，所有数据都将被破坏，无法使用或部分损坏：
请记住，BIT ERROR CORRECTION非常重要！
纠错的基本方法是ECC。通常，这是最简单的数据修复方式。如您所知，通常控制器会在每个页面中添加称为备用区域（SA）的附加信息。它包含一些标记（例如 - 用于图像构建的标记），不同的标记和纠错码 （ECC）。ECC - 是一种特殊的扩展数据，它基于初始写入的用户信息。通过特殊数学公式扩展数据有助于查找扇区\范围中的位错误并修复它们。通常ECC代码具有特殊长度 - 选择用于纠错的字节数。最大数量的ECC字节允许我们在每个扇区\范围内修复更多错误。
来自旧SLC NAND芯片的通用MBR扇区，页面大小为2112字节，扇区大小为528字节：
黄色 - 我们的DA（512字节），蓝色 - 用于图像构建的块编号的标记（6个字节），绿色 - 错误校正代码（10个字节）：
我们的软件试图找到以下扇区中的所有误码：
并应用ECC代码来修复它们：
粗鲁的例子 - 10个字节的ECC可以在扇区中修复5个字节的数据。100字节的ECC可以在扇区中修复50字节的数据。但正如您所知，所有现代NAND存储器芯片都具有TLC架构，并且每个芯片中的ECC错误数量非常大。这就是为什么在现代芯片中，每页的ECC大小可以达到每16384字节DA（即10％）的1690字节ECC！同时，对于旧的SLC芯片，控制器通常每2048字节DA使用大约40个字节（仅2％）。
